ナノ構造体及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山下穣平 , 志村博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003290536
Publication number (International publication number)：2005059125
Application date： Aug. 08, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】ナノ細線の直径が微細且つ高密度に集積されたナノ細線であり、一層の高機能性デバイスに応用可能なナノ細線を具備するナノ構造体を提供する。【解決手段】ナノ構造体1は、基板10、下地層11上に形成され、Si、Ge、及びSiGeのいずれかがAlと成す全量に対し20atomic%以上70atomic%以下の割合で含有されたAl細線を有するAl(Si、Ge)を主成分とする膜中からAl細線を取り除くことにより細孔径及び細孔密度の揃った細孔を有するマトリックス部14と、マトリックス部14の細孔中に充填して形成されたAl以外の材料からなり、直径が微細且つ高密度に集積されたナノ細線13とを有する。ナノ細線13は、マトリクス部14の一部を選択的に除去することにより、マトリックス部14から凸状に露出している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板又は下地層を有する基板上に形成さいれたナノ構造体であって、柱状の第1の部材と前記第1の部材を取り囲むように形成した第2の部材を備え、前記第2の部材が共晶を形成し得る2種類以上の材料を含有し、且つ前記材料の1種類が半導体材料であり、前記第1の部材の基板からの高さが、第2の部材の基板からの高さよりも高いことを特徴とする請求項1記載の構造体。

IPC (6)：

B82B1/00 , B01J23/42 , B82B3/00 , C23C18/31 , C25D1/04 , H01L29/06

FI (6)：

B82B1/00 , B01J23/42 M , B82B3/00 , C23C18/31 Z , C25D1/04 , H01L29/06 601N

F-Term (15)：

4G069AA02 , 4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069AA12 , 4G069BC75B , 4G069CB81 , 4G069CC26 , 4G069EA03Y , 4G069FB02 , 4G069FB21 , 4G069FB48 , 4K022AA05 , 4K022BA18 , 4K022DA01 , 4K022EA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

SPM用探針評価用標準試料及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-265951 Applicant：株式会社アドバンテスト
セラミックス-金属複合体およびその製造方法と装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-046081 Applicant：工業技術院長
防曇膜および防曇膜付き基体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-076841 Applicant：旭硝子株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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