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J-GLOBAL ID：200903062126945982

窒化ガリウム系半導体レーザ素子

Inventor：
奥村 敏之

About 奥村 敏之


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998146786
Publication number (International publication number)：1999340573
Application date： May. 28, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、光ディスクシステムの光源としての使用が可能な、良好なレーザ発振特性を有する半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム系半導体レーザ素子は、基板上に、窒化物半導体からなる少なくともクラッド層及び/またはガイド層に挟まれた窒化物半導体よりなる活性層を備えた窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記活性層に電流を供給するオーミック電極のレーザ共振器方向の長さが、レーザ共振器の長さよりも短いことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に、窒化物半導体からなる少なくともクラッド層及び/またはガイド層に挟まれた窒化物半導体よりなる活性層を備えた窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記活性層に電流を供給するオーミック電極のレーザ共振器方向の長さが、レーザ共振器の長さよりも短いことを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 半導体レーザ及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-047660   Applicant：富士通株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-174474   Applicant：ローム株式会社
  • レーザダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004212   Applicant：イーストマン・コダックジャパン株式会社
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