薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、及び液晶表示装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996318957
Publication number (International publication number)：1998163498
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】ガラス等の絶縁性基板上に、精度の良いLDD構造を簡単に作成することのできる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、及び液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】サイドウォール6を有するLDD構造TFTで、サイドウォール6とゲート絶縁膜3との間にサイドウォール6と膜質の異なるエッチングストッパ層5が形成されており、サイドウォール6を異方性エッチングにより形成する際にこのストッパ層5で異方性エッチングを停止することができる。

Claim (excerpt)：

チャネル領域と、チャネル領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル領域と前記ソース領域との間、前記チャネル領域と前記ドレイン領域との間の少なくとも一方に形成された低不純物濃度領域と、を有する半導体層と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を備えた薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極の側方で前記低不純物濃度領域上の少なくとも一部に形成されたサイドウォールと、前記ゲート絶縁膜と前記サイドウォールとの間に形成されたエッチングストッパ層と、を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500

FI (3)：

H01L 29/78 616 A , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体集積回路およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-137988 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体集積回路およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-137987 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
電界効果トランジスタ及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-302082 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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