貴金属酸化物の製法および貴金属酸化物から形成される構造

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂口博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998298381
Publication number (International publication number)：1999224936
Application date： Oct. 20, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】貴金属基板の表面を酸素含有エネルギー源に露出することで、該基板上に貴金属酸化物被膜を形成し、貴金属と後に付着させる高誘電率層との接着性と界面特性を改善する方法を提供する。【解決手段】酸素含有エネルギー源は高密度、マイクロ波、高周波各プラズマ、及び酸素含有イオンビームによるイオン衝突、またはこれらの組合わせから選択でき、個別に制御される基板バイアスを印加してもしなくてもよい。貴金属はPt、Ir、Au、Os、Ag、Pd、Rh、Ru中の最低1種類が、またこれら貴金属合金も使用できる。貴金属基板34の表面を酸素含有エネルギー源に露出することにより該基板上に貴金属の酸化物被膜36を形成した。酸化物層の厚さは通常0.4〜10nmである。さらに最初に貴金属基板の表面を、界面強化層の形成に十分な時間酸素含有エネルギー源に露出させ、次に酸素含有層を挟んで貴金属基板上に高誘電率材料層38を付着させることもできる。

Claim (excerpt)：

貴金属基板の表面上、および貴金属基板の表面の少なくとも一部を被覆する貴金属酸化物皮膜を形成する方法において、上記貴金属基板の表面を、酸素を含有するプラズマに露出する工程を含む方法。

IPC (8)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

誘電体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149521 Applicant：セイコーエプソン株式会社
マイクロ電子構造体とその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-196766 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
酸素障壁が設けられた下部電極を有する強誘電体メモリ素子を具えた半導体デバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-511563 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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