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J-GLOBAL ID：200903062838923837

半導体装置の製造方法

Inventor：
堀野 和彦

About 堀野 和彦


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997264381
Publication number (International publication number)：1999103134
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：
【要約】【課題】 炭化珪素基板上に結晶性の高い窒化物半導体層を形成する方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素基板の表面上に、III族元素としてAlを含み、V族元素としてNを含むIII-V族化合物半導体材料からなる第1の層を、圧力220Torrよりも高い条件で変圧気相成長させる。第1の層を減圧気相成長させる工程において、圧力を220Torrとし、原料ガスとキャリアガスとのガス総流量を種々変化させて成長させた場合の第1の層のある面に対応するX線ロッキングカーブの半値幅をガス総流量の関数として示したグラフと、圧力を100Torrとして成長させた場合の同様のグラフとの交点に対応するガス総流量よりもガス総流量を多くして第1の層を成長させることが好ましい。
Claim (excerpt)：
炭化珪素基板の表面上に、III族元素としてAlを含み、V族元素としてNを含むIII-V族化合物半導体材料からなる第1の層を、圧力220Torrよりも高い条件で減圧気相成長させる工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01S 3/18 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01S 3/18 ,  C30B 29/40 502 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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