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J-GLOBAL ID：200903062912791085

電極形成用CVD原料、およびそれを用いて形成されたキャパシタ用電極、配線膜

Inventor： 松野 繁 ,  内川 英興 ,  佐藤 剛彦 ,  山田 朗
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998124726
Publication number (International publication number)：1999317377
Application date： May. 07, 1998
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電極としてとくに白金族またはCu、あるいはこの系の酸化物を形成するために、安定に反応部へ輸送(供給)可能なCVD原料を提供する。【解決手段】 金属が白金族(Ru、Pt、Ir、Pd、Os、Rh、Re)またはCuである有機金属化合物をテトラヒドロフランまたはテトラヒドロフランを含む溶媒中に溶解して、CVD原料を得た。この原料中の水分は200ppm以下が望ましく、この原料を用いてCVD法により、成膜すると、原料が安定供給され、形成された電極膜の特性も向上した。これにより、キャパシタの特性が向上した。また、本原料により、他の電子デバイスの配線を形成しても良い。

Claim (excerpt)：

テトラヒドロフランに、金属が白金族またはCuである有機金属化合物の少なくとも一種以上が溶解されてなる電極形成用CVD原料。

IPC (6)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-214867
  
• キャパシタおよび高容量キャパシタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-013362   Applicant：シャープ株式会社
• 金属錯体及び金属薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-044764   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 高純度白金薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-100125   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 低抵抗Cu-Ag合金膜の形成方法及び低抵抗Cu-Ag合金膜形成用組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-086828   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 有機イリジウム化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-109541   Applicant：三菱マテリアル株式会社