集積回路のメタライゼーションスキームにおけるバリア層のボトムレス堆積方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 舘泰光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007235613
Publication number (International publication number)：2008078647
Application date： Sep. 11, 2007
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：

【課題】デュアルダマシンメタライゼーションにおいて、Cu配線構造のバリア材料を絶縁層の表面上のみに選択的に形成し、接続構造部のエレクトロマイグレーションを抑制するとともに、下層導電層との接続抵抗を低減する選択的堆積方法を提供する。【解決手段】Cu層20上の絶縁層14,15をエッチングしてトレンチとビアを開孔する。ビア底部のCu層の表面10に原子層成長(ALD)ブロック層を形成する。この後、原子層成長(ALD)法を用いてTiNバリア材料26を絶縁層表面12、13に堆積する。ブロック層により、ビア底部のCu層の表面にはバリアは形成されないため、ビア底部のCuは露出した状態のままである。開口部内にCu18を充填するとCu層に直接接続することが出来る。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

原子層成長プロセスを利用して層を選択的に堆積する方法であって、該方法は、第1の絶縁性の表面及び第2の導電性の表面を備える堆積基板を準備すること、及び、前記堆積基板を少なくとも2つの反応物流体に交互に繰り返し晒すことによって、前記第2の表面と比べて選択的に前記第1の表面に層をコーティングすることを含み、前記第2の表面は、選択的にコーティングする前に、前記原子層成長プロセスによって堆積をブロックするよう変化する、原子層成長プロセスを利用して層を選択的に堆積する方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 , H01L 21/28 , H01L 21/768 , C23C 16/34

FI (5)：

H01L21/285 C , H01L21/28 301R , H01L21/90 A , H01L21/28 A , C23C16/34

F-Term (93)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030BA48 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030DA03 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD20 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD46 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104FF18 , 4M104FF23 , 4M104HH01 , 4M104HH15 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK00 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP08 , 5F033PP11 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ85 , 5F033QQ92 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR29 , 5F033WW00 , 5F033XX05 , 5F033XX09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第5,904,565号明細書

Cited by examiner (5)

化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236247 Applicant：日産自動車株式会社
集積回路の金属層間の低抵抗コンタクトおよびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-191112 Applicant：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-341259 Applicant：日本電気株式会社, ルーセントテクノロジーズインク

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