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J-GLOBAL ID：200903095948713132

バリア膜形成方法

Inventor： 中村 久三 ,  小松 孝 ,  樋口 靖 ,  長野 賢三 ,  太田 賀文 ,  田熊 康宏 ,  池田 智
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997225711
Publication number (International publication number)：1999054459
Application date： Aug. 07, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】バリア性に優れたバリア膜を提供する。【解決手段】真空槽内に基板を搬入して(S1)、昇温させ(S2)、含窒素ガスと含高融点金属ガスのうち、一方のガスを導入し(S3)、該一方のガスを真空排気した後(S4)、他方のガスを導入し(S5)、該他方のガスを真空排気する(S6)。この工程を複数回繰り返して行うと(S9)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でCVD反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。CVD反応を行う毎にパージガスを導入し(S7)、真空排気すると(S8)、基板や真空槽に吸着された副生成物ガスや未反応ガスがパージガスと交換されるので、より高純度なバリア膜を得ることが可能となる。

Claim (excerpt)：

基板を真空槽内に搬入し、所定温度まで昇温させた後、含窒素ガスと含高融点金属ガスとを導入し、前記基板上に高融点金属の窒化物薄膜を形成させるバリア膜形成方法であって、前記含窒素ガスと前記含高融点金属ガスのうち、一方のガスを導入し、該一方のガスを真空排気した後、他方のガスを導入し、該他方のガスを真空排気する工程を複数回繰り返すことを特徴とするバリア膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-236247   Applicant：日産自動車株式会社
• 特開平2-093071
  
• バリア膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-290086   Applicant：株式会社アルバック