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J-GLOBAL ID：200903063128978663

誘電体膜の形成方法

Inventor： 小笠原 悟 ,  石原 宏
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  東京工業大学長
Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002125875
Publication number (International publication number)：2003324099
Application date： Apr. 26, 2002
Publication date： Nov. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】誘電体膜の膜質を向上させることができるとともに、誘電体膜の膜厚を均一にすることが可能な誘電体膜の形成方法を提供する。【解決手段】この誘電体膜の形成方法は、被成膜面としてのSiO2膜2にプラズマ3を照射することによって、SiO2膜の表面を改質する工程と、その改質されたSiO2膜の表面上に、霧状のSBT原料4を堆積することによって、SBT原料膜5を形成する工程とを備えている。

Claim (excerpt)：

被成膜面に、希ガスおよび塩素ガスの少なくとも1つを含むガスを用いたプラズマを照射することによって、前記被成膜面を改質する工程と、前記改質された被成膜面上に、誘電体原料を霧状にして堆積することによって、誘電体膜を形成する工程とを備えた、誘電体膜の形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/316 ,  C01G 35/00 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

H01L 21/316 B ,  C01G 35/00 B ,  C01G 35/00 C ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 29/78 371

F-Term (35)：

4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AB06 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  5F058BA06 ,  5F058BA10 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BE04 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F083FR01 ,  5F083FR07 ,  5F083GA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083PR03 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F101BA62 ,  5F101BH01 ,  5F101BH13 ,  5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• セラミックスの製造方法およびその製造装置、ならびに半導体装置および圧電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-091603   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体記憶素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-144996   Applicant：日本電気株式会社