基板の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： , , , ,
Agent (4)：大塚康徳 , 高柳司郎 , 大塚康弘 , 木村秀二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007252327
Publication number (International publication number)：2008110912
Application date： Sep. 27, 2007
Publication date： May. 15, 2008
Summary：

【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。【解決手段】上面が(0001)面のサファイア単結晶を下地基板とし、下地基板上面にクロム層を成膜した後、クロム層が形成された下地基板をGaNの結晶を成長させるための装置への移送し、窒素を含有した還元性ガス雰囲気で1000°C以上の温度で加熱窒化処理を行うことにより、クロム窒化物(CrN)膜を形成するが、このとき、窒化アルミニウムを含む中間層が、下地基板とクロム窒化物膜との間に形成される。次に、GaNバッファ層を成膜した後、基板温度を1040°Cまで昇温し、GaNの結晶層を成長させることにより、上面のピット密度が、105/cm2以下であるGaN単結晶基板が得られる。必要により、クロム窒化物膜の選択的エッチングし、GaNの基板を下地基板から分離する。【選択図】図15

Claim (excerpt)：

下地基板の上にクロム層を成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を1000°C以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程と、を備えたことを特徴とする基板の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 , H01L 33/00 , C30B 25/18

FI (3)：

C30B29/38 D , H01L33/00 C , C30B25/18

F-Term (21)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077FJ03 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TC13 , 4G077TC14 , 4G077TC16 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 5F041AA40 , 5F041CA22 , 5F041CA40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化ガリウム結晶基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-062546 Applicant：日立電線株式会社
発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-215342 Applicant：ソニー株式会社
半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-272323 Applicant：株式会社東北テクノアーチ, 古河機械金属株式会社, 三菱化学株式会社, DOWAエレクトロニクス株式会社, エピバレー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

MBE法による低温CrxNバッファ層を用いたGaNの成長

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