Pat
J-GLOBAL ID：200903027935381976

多層配線構造の製造方法

Inventor：
田口 充

About 田口 充

, 
門村 新吾

About 門村 新吾


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998261048
Publication number (International publication number)：2000091422
Application date： Sep. 16, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：
【要約】【課題】 デュアルダマシン法において溝と接続孔とを形成する際に、接続孔がいわゆるボーイング形状になり易いという問題があり、接続孔の形状を良好かつ安定的に形成することは困難であった。【解決手段】 下層配線14上を覆う層間絶縁膜15を形成する工程と、その層間絶縁膜15に下層配線14に通じる接続孔16を形成する工程と、その層間絶縁膜15上に接続孔16を埋め込む配線間絶縁膜17を層間絶縁膜15のエッチングレートよりも速いエッチングレートを有する絶縁材料で形成する工程と、配線間絶縁膜17に凹部18を形成するとともにその凹部18に連続して接続孔16を層間絶縁膜に対して選択的に再び開口する工程とを備えた多層配線構造の製造方法である。
Claim (excerpt)：
下層配線上を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前記下層配線に通じる接続孔を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に前記接続孔を埋め込む配線間絶縁膜を前記層間絶縁膜のエッチングレートよりも速いエッチングレートを有する絶縁材料で形成する工程と、前記配線間絶縁膜に凹部を形成するとともに前記凹部に連続して前記接続孔を前記層間絶縁膜に対して選択的に再び開口する工程とを備えたことを特徴とする多層配線構造の製造方法。
F-Term (26)：
5F033AA04 ,  5F033AA05 ,  5F033AA12 ,  5F033AA15 ,  5F033AA17 ,  5F033AA29 ,  5F033AA34 ,  5F033AA35 ,  5F033AA64 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033DA01 ,  5F033DA03 ,  5F033DA05 ,  5F033DA06 ,  5F033DA08 ,  5F033DA33 ,  5F033DA35 ,  5F033DA36 ,  5F033DA38 ,  5F033EA02 ,  5F033EA06 ,  5F033EA25 ,  5F033EA28 ,  5F033EA29 ,  5F033EA32
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM