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J-GLOBAL ID:200903063420464654

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 廣田 浩一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002217213
Publication number (International publication number):2004061668
Application date: Jul. 25, 2002
Publication date: Feb. 26, 2004
Summary:
【課題】レジストパターンを厚肉化し微細な抜けレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。【解決手段】樹脂と、架橋剤と、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、並びに、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤及びエチレンジアミン系界面活性剤からなる非イオン性界面活性剤から選択される少なくとも1種とを含有するレジストパターン厚肉化材料。レジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布するレジストパターンの製造方法。下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
樹脂と、架橋剤と、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、並びに、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤及びエチレンジアミン系界面活性剤からなる非イオン性界面活性剤から選択される少なくとも1種とを含有することを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。
IPC (3):
G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065
FI (3):
G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/302 105A
F-Term (9):
2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H096HA07 ,  2H096HA23 ,  2H096KA30 ,  5F004DA01 ,  5F004DB26 ,  5F004EA02 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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