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J-GLOBAL ID：200903063487596679

樹脂封止型半導体装置

Inventor：
広瀬 伸一

About 広瀬 伸一

, 
今泉 典久

About 今泉 典久


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004230867
Publication number (International publication number)：2006049698
Application date： Aug. 06, 2004
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：
【課題】 ICチップとメッキ処理が施されたリードフレームとを電気的に接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置において、インナーリードにおける樹脂密着性とアウターリードにおける抵抗溶接性とを両立する。【解決手段】 互いに電気的に接続されたICチップ10とリードフレーム20とがモールド樹脂40で封止されており、インナーリード21およびアウターリード22では、母材20a上に順に無電解Ni-Pメッキ膜20b、表面が粗化されたNiメッキ膜20cが設けられている。それにより、インナーリード21のメッキ膜の最表面は、モールド樹脂40との密着性を向上させるための粗化された形状となり、アウターリード22には、抵抗溶接可能な低い融点を持つ無電解Ni-Pメッキ膜20bが設けられた構成となっている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体素子(10)とメッキ処理が施されたリードフレーム(20)とが互いに電気的に接続され、前記半導体素子(10)および前記リードフレーム(20)がモールド樹脂(40)で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、 前記リードフレーム(20)のうち前記モールド樹脂(40)内に位置するインナーリード(21)のメッキ膜の最表面は、前記モールド樹脂(40)との密着性を向上させるために粗化された形状となっており、 前記リードフレーム(20)のうち前記モールド樹脂(40)から突出するアウターリード(22)には、抵抗溶接性を確保するための無電解Ni-Pメッキ膜(20b)が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2)：
H01L 23/50 ,  H01L 23/48
FI (2)：
H01L23/50 D ,  H01L23/48 K
F-Term (7)：
5F067AB01 ,  5F067AB10 ,  5F067BB04 ,  5F067DC11 ,  5F067DC16 ,  5F067DC19 ,  5F067DC20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開平4-115558号公報
  • 樹脂用インサート部材
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-207480   Applicant：新光電気工業株式会社
  • 半導体装置用リードフレーム
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-201324   Applicant：日本高純度化学株式会社
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Cited by examiner (17)
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