樹脂封止型半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004230867
Publication number (International publication number)：2006049698
Application date： Aug. 06, 2004
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：

【課題】 ICチップとメッキ処理が施されたリードフレームとを電気的に接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置において、インナーリードにおける樹脂密着性とアウターリードにおける抵抗溶接性とを両立する。【解決手段】互いに電気的に接続されたICチップ10とリードフレーム20とがモールド樹脂40で封止されており、インナーリード21およびアウターリード22では、母材20a上に順に無電解Ni-Pメッキ膜20b、表面が粗化されたNiメッキ膜20cが設けられている。それにより、インナーリード21のメッキ膜の最表面は、モールド樹脂40との密着性を向上させるための粗化された形状となり、アウターリード22には、抵抗溶接可能な低い融点を持つ無電解Ni-Pメッキ膜20bが設けられた構成となっている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体素子(10)とメッキ処理が施されたリードフレーム(20)とが互いに電気的に接続され、前記半導体素子(10)および前記リードフレーム(20)がモールド樹脂(40)で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、前記リードフレーム(20)のうち前記モールド樹脂(40)内に位置するインナーリード(21)のメッキ膜の最表面は、前記モールド樹脂(40)との密着性を向上させるために粗化された形状となっており、前記リードフレーム(20)のうち前記モールド樹脂(40)から突出するアウターリード(22)には、抵抗溶接性を確保するための無電解Ni-Pメッキ膜(20b)が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/50 , H01L 23/48

FI (2)：

H01L23/50 D , H01L23/48 K

F-Term (7)：

5F067AB01 , 5F067AB10 , 5F067BB04 , 5F067DC11 , 5F067DC16 , 5F067DC19 , 5F067DC20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平4-115558号公報
樹脂用インサート部材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-207480 Applicant：新光電気工業株式会社
半導体装置用リードフレーム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-201324 Applicant：日本高純度化学株式会社