窒化物半導体素子及びその成長方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001339880
Publication number (International publication number)：2003204080
Application date： Nov. 05, 2001
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】任意の色の発光が可能な発光光源であって、窒化物半導体を利用した色ムラを抑制した均一光源を得ることを目的とする。【解決手段】(111)面を主面とするY3Al5O12を基板1とし、この上にInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)から成る窒化物半導体層を形成する。このY3Al5O12基板には、付活剤としてCe、Tb、Euを含有する。また、Inを含有するバッファ層2をY3Al5O12基板と窒化物半導体層との間に成長させる。

Claim (excerpt)：

(111)面を主面とするY3Al5O12を基板とし、この上にInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)から成る窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 , C09K 11/08 , C09K 11/80 CPM , H01L 21/205

FI (4)：

H01L 33/00 C , C09K 11/08 G , C09K 11/80 CPM , H01L 21/205

F-Term (42)：

4H001CA04 , 4H001CC09 , 4H001XA08 , 4H001XA13 , 4H001XA39 , 4H001YA12 , 4H001YA14 , 4H001YA20 , 4H001YA22 , 4H001YA24 , 4H001YA26 , 4H001YA27 , 4H001YA28 , 4H001YA29 , 4H001YA30 , 4H001YA38 , 4H001YA47 , 4H001YA56 , 4H001YA58 , 4H001YA59 , 4H001YA60 , 4H001YA63 , 4H001YA65 , 4H001YA66 , 4H001YA79 , 5F041AA05 , 5F041AA11 , 5F041AA12 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041EE25 , 5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF08 , 5F045CA11 , 5F045DA53

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

燐光変換を行う発光基板を有する発光ダイオードデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-335223 Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-208682 Applicant：日本酸素株式会社
特開昭49-003899

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