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J-GLOBAL ID:200903063649526890
樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
前田 弘 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998323100
Publication number (International publication number):2000150756
Application date: Nov. 13, 1998
Publication date: May. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】 樹脂封止型半導体装置を薄型化又は小型化すると共に樹脂封止型半導体装置の放熱性を向上させる。【解決手段】 インナーリード1の先端部は、その下面が他の部分の下面よりも上側に位置する段差部1aを有していると共に、該段差部1aの下面に熱伝導板2が絶縁性樹脂3を介して保持されている。熱伝導板2の上面には絶縁性樹脂3及び銀ペースト4を介して半導体チップ5が保持されている。インナーリード1と半導体チップ5の信号用電極とは、金線からなるボンディングワイヤ6により電気的に接続されている。インナーリード1の先端部以外の部分の下面及び熱伝導板2の下面が露出するように、インナーリード1、熱伝導板2及び半導体チップ5等が樹脂パッケージ7によって封止されている。
Claim (excerpt):
複数のインナーリードの先端部に絶縁性樹脂を介して保持された高い熱伝導性を有する熱伝導板と、前記熱伝導板の上に保持された半導体チップと、前記半導体チップ、熱伝導板及びインナーリードを封止している樹脂パッケージとを備えた樹脂封止型半導体装置において、前記熱伝導板における前記半導体チップを保持するチップ保持領域には開口部が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2):
FI (4):
H01L 23/50 F
, H01L 23/28 A
, H01L 23/28 B
, H01L 23/28 J
F-Term (21):
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109BA02
, 4M109CA21
, 4M109DB03
, 4M109DB16
, 4M109FA04
, 5F067AA01
, 5F067AA03
, 5F067AA06
, 5F067AA07
, 5F067AA11
, 5F067BB01
, 5F067BB04
, 5F067BE02
, 5F067BE06
, 5F067BE10
, 5F067CA03
, 5F067CA05
, 5F067CC02
, 5F067DE09
Patent cited by the Patent: