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J-GLOBAL ID：200903063798376311

フォトレジスト用被膜形成材料、フォトレジスト組成物及びパターン形成方法

Inventor： 村山 三素 ,  山下 吉雄 ,  神保 秀之
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社 ,  沖電気工業株式会社
Agent (1)： 内山 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998143141
Publication number (International publication number)：1999338148
Application date： May. 25, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】遠紫外光に対する光透過性に優れ、遠紫外光用として有用なフォトレジストを与える被膜形成材料、及びこのものを含有し、遠紫外光を露光光源とする高感度で、かつ解像度に優れるフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】一般式[1](式中のX1及びX2は、それぞれ水素原子、-COOH、-CH2COOH、-CH(COOH)2又は-C(COOH)3であり、少なくとも一方は水素原子以外の基である)で表される繰り返し単位を有する数平均分子量3000〜30000の重合体からなるフォトレジスト用被膜形成材料、並びに、(A)上記被膜形成材料、(B)溶解抑止剤及び(C)光酸発生剤を含有してなるフォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

一般式[1]【化1】(式中のX1及びX2は、それぞれ水素原子、-COOH、-CH2COOH、-CH(COOH)2又は-C(COOH)3であり、それらはたがいに同一であってもよいし、異なっていてもよいが、X1及びX2の少なくとも一方は水素原子以外の基である)で表される繰り返し単位を有する数平均分子量3000〜30000の重合体からなるフォトレジスト用被膜形成材料。

IPC (5)：

G03F 7/039 601 ,  C08L 69/00 ,  G03F 7/004 ,  C08G 64/02 ,  C08G 64/30

FI (5)：

G03F 7/039 601 ,  C08L 69/00 ,  G03F 7/004 ,  C08G 64/02 ,  C08G 64/30