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J-GLOBAL ID:200903082282479291

レジスト組成物およびその利用

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996063775
Publication number (International publication number):1997230595
Application date: Feb. 26, 1996
Publication date: Sep. 05, 1997
Summary:
【要約】【課題】 ArFエキシマレーザーなどの遠紫外線、X先、電子線などの荷電粒子線といった放射線を用いる半導体素子の超微細加工に有用なレジストとして好適なレジスト組成物を提供する。【解決手段】 酸不安定性構造が基体樹脂に担持されている少なくとも1種類の樹脂(A)と、光感応性酸発生物質(B)とを必須成分とするレジスト組成物であって、樹脂(A)の基体樹脂が多環式ポリオレフィン樹脂であることを特徴とするレジスト組成物。
Claim (excerpt):
酸不安定性構造が基体樹脂に担持されている少なくとも1種類の樹脂(A)と、光感応性酸発生物質(B)とを必須成分とするレジスト組成物であって、樹脂(A)の基体樹脂が多環式ポリオレフィン樹脂であることを特徴とするレジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/033 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/033 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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