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J-GLOBAL ID：200903063844852190

集積回路平坦化方法

Inventor：
猪川 洋

About 猪川 洋


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994091906
Publication number (International publication number)：1995297193
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 研磨速度の変動や埋め込み膜、低研磨速度膜の膜厚の変動が平坦性に与える影響を少なくする。【構成】 凹部と凸部とを有する基板1の表面に研磨停止膜2を形成し、研磨停止膜2上に研磨停止膜2より研磨速度が速いか、或は研磨停止膜2に比較して研磨の摩擦係数が異なる埋め込み膜3を凹部の埋め込み膜3の表面位置が凸部の研磨停止膜2の表面位置より低くなる膜厚で形成し、埋め込み膜3上に埋め込み膜3より研磨速度が低い低研磨速度膜4を凸部の研磨停止2膜の表面位置と凹部の低研磨速度膜4の表面位置とが略等しい高さになる膜厚で堆積し、凸部の低研磨速度膜4および埋め込み膜3を凸部の研磨停止膜2が露出するまで研磨除去する。
Claim (excerpt)：
凹部と凸部とを有する基板表面に研磨停止膜を形成する工程と、前記研磨停止膜上に、前記研磨停止膜より研磨速度が速いか、或は前記研磨停止膜に比較して研磨の摩擦係数が異なる埋め込み膜を、前記凹部の前記埋め込み膜の表面位置が前記凸部の前記研磨停止膜の表面位置より低くなる膜厚で形成する工程と、前記埋め込み膜上に、前記埋め込み膜より研磨速度が低い低研磨速度膜を、前記凸部の前記研磨停止膜の表面位置と前記凹部の前記低研磨速度膜の表面位置とが略等しい高さになる膜厚で堆積する工程と、前記凸部の前記低研磨速度膜および前記埋め込み膜を、前記凸部の前記研磨停止膜が露出するまで研磨除去する工程とからなることを特徴とする集積回路平坦化方法。
IPC (4)：
H01L 21/3205 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/76
FI (2)：
H01L 21/88 K ,  H01L 21/76 L
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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