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J-GLOBAL ID：200903063883311725

半導体装置及びそれを用いた半導体記憶装置

Inventor：
田口 和男

About 田口 和男


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004028121
Publication number (International publication number)：2005101495
Application date： Feb. 04, 2004
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
【課題】 ソース領域側にゲート部分を突出させずに、ソース領域とボディコンタクト領域とを配線を用いずに接続できるゲート形状を有するトランジスタを含む半導体装置及び半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 半導体装置は、ゲート24(L型ゲート25)と、前記ゲート24の直下のゲート絶縁膜22と、前記ゲート絶縁膜22の直下のボディ領域26と、前記ボディ領域を挟んだ両側に形成されるソース領域28A及びドレイン領域28Bとを有するトランジスタを、フィールド領域20Bに有する。ゲート24は、フィールド領域20B上にてチャネル幅方向に沿って延びる第1部分24B12と、第1部分24B12のチャネル幅方向での一端よりドレイン28B側に突出する第2部分24B2とを有し、平面視でL型ゲート25に形成されている。L型ゲート25の第2部分24B2を挟んで第1部分24B12とは反対側のフィールド領域20Bにボディコンタクト領域30が設けられ、ソース領域28Aとボディコンタクト領域30との表面に低抵抗層29が形成されている。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
ゲートと、前記ゲートの直下のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の直下のボディ領域と、前記ボディ領域を挟んだ両側に形成されるソース領域及びドレイン領域とを有するトランジスタを、フィールド領域に有し、 前記ゲートは、フィールド領域上にてチャネル幅方向に沿って延びる第1部分と、前記第1部分のチャネル幅方向での一端より前記ドレイン領域側に突出する第2部分とを有し、平面視でL型ゲートに形成され、 前記L型ゲートの前記第2部分を挟んで前記第1部分とは反対側の前記フィールド領域にボディコンタクト領域が設けられ、前記ソース領域と前記ボディコンタクト領域との表面に低抵抗層が形成されている、半導体装置。
IPC (8)：
H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786
FI (8)：
H01L27/08 321F ,  H01L21/28 301D ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 626B ,  H01L29/78 621 ,  H01L27/10 381 ,  H01L29/58 G
F-Term (61)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB19 ,  4M104DD04 ,  4M104DD91 ,  4M104FF14 ,  4M104GG08 ,  4M104GG10 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F048AA01 ,  5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BC06 ,  5F048BC11 ,  5F048BC16 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF06 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BF18 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F083BS02 ,  5F083BS14 ,  5F083BS17 ,  5F083BS27 ,  5F083BS29 ,  5F083BS38 ,  5F083BS48 ,  5F083GA18 ,  5F083HA02 ,  5F083NA01 ,  5F083PR36 ,  5F110AA04 ,  5F110AA15 ,  5F110AA21 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110EE09 ,  5F110EE24 ,  5F110EE31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HK05 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN77 ,  5F110QQ11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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