Pat
J-GLOBAL ID：200903064182906925

プラズマ密度情報測定方法及びその装置、並びにプラズマ処理方法及びその装置

Inventor：
菅井 秀郎

About 菅井 秀郎

, 
豊田 直樹

About 豊田 直樹

, 
南光 正平

About 南光 正平


Applicant, Patent owner：
名古屋大学長

About 名古屋大学長

, 
株式会社ニッシン

About 株式会社ニッシン


Agent (1)： 杉谷 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001060296
Publication number (International publication number)：2002261085
Application date： Mar. 05, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 磁化されたプラズマ中でプラズマ密度情報を精度良く測定することを課題とする。【解決手段】 チャンバ1の上部の周辺部に配設されたコイル4によって磁化されたプラズマPM中に、測定プローブ7とガウスメータ8とを挿入する。測定プローブ7によってプラズマ密度情報の1つでもある吸収周波数を測定する。この測定された吸収周波数は磁場Bの影響を受けており正確な値でないので、ガウスメータ8によって測定された磁場Bに基づいて、吸収周波数校正部25で校正する。このことによって、磁化されたプラズマ中で吸収周波数等のプラズマ密度情報を精度良く測定することができる。
Claim (excerpt)：
磁化されたプラズマ中で、プラズマの特性を示すプラズマ密度情報を測定するプラズマ密度情報測定方法であって、(a)前記プラズマ密度情報を測定するためのプローブであるプラズマ密度情報測定用プローブが置かれた位置の磁化されたプラズマ中の磁場の大きさを等価的に測定する過程と、(b)前記プラズマ密度情報を測定するためのプラズマ密度情報測定用電源からプラズマ密度情報測定用電力を磁化されたプラズマに供給する過程と、(c)前記プラズマ密度情報測定用プローブを用いて、プラズマ負荷による前記プラズマ密度情報測定用電力の反射または吸収に基づいて、前記磁場の影響を受けたプラズマ密度情報を測定する過程と、(d)測定された磁場に基づいて、前記プラズマ密度情報測定用プローブによって測定されたプラズマ密度情報を校正する過程とを備えていることを特徴とするプラズマ密度情報測定方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46
FI (4)：
C23F 4/00 A ,  H05H 1/00 A ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 E
F-Term (14)：
4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DM03 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004CA09 ,  5F004CB20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM