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J-GLOBAL ID：200903064242893593

半導体発光素子

Inventor： 国安 利明
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998362031
Publication number (International publication number)：2000183401
Application date： Dec. 21, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子のP電極において、バリア層を厚膜化することなく、ロウ材の拡散に対するバリア性を向上させる。【解決手段】 P電極12をp-GaAsキャップ層9上に、Ti層12-aを50nm、Pt層12-bを50nm、Ti層12-cを50nm、Pt層12-dを50μm、Au層を12-eを200nmの厚さで順次積層して形成する。このように、バリア層であるTi/Pt層が2重に積層されたTi/Pt/Ti/Pt/Auの5層構造とすることにより、厚膜化することなくバリア性が向上でき、万一Au層近辺のバリア層にInロウ接着材が進入しても、もうひとつのp-GaAs近辺のバリア層で進入を阻止できる。

Claim (excerpt)：

P電極が、コンタクト層上に、Ti層、Pt層、Ti層、Pt層およびAu層をこの順に積層してなる5層構造であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01S 5/042 610

FI (4)：

H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 G ,  H01S 3/18 624

F-Term (27)：

4M104AA05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG04 ,  4M104HH04 ,  4M104HH05 ,  5F041AA44 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F073AA11 ,  5F073AA21 ,  5F073AA73 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28 ,  5F073FA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭61-097890
  
• 特開昭63-084186
  
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068367   Applicant：三井石油化学工業株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-000730   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-045317   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭63-289888
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-048173   Applicant：株式会社島津製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-073233   Applicant：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社