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J-GLOBAL ID:200903064255242427

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002339997
Publication number (International publication number):2004179191
Application date: Nov. 22, 2002
Publication date: Jun. 24, 2004
Summary:
【課題】均一なプラズマ処理が行いやすいプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】放電ガスが流通するガス供給路1内に大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせた後、この放電ガスをガス供給路1外に放出すると共にガス供給路1から放出された放電ガスに被処理物4を暴露させるようにするプラズマ処理装置に関する。被処理物4を暴露させた後の放電ガスを回収するための回収部7と、回収部7で回収された放電ガスから不純物を除去するための再生部8と、再生部8で不純物が除去された放電ガスをガス供給路1に返送するための循環部9とを具備する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
放電ガスが流通するガス供給路内に大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせた後、この放電ガスをガス供給路外に放出すると共にガス供給路から放出された放電ガスに被処理物を暴露させるようにするプラズマ処理装置において、被処理物を暴露させた後の放電ガスを回収するための回収部と、回収部で回収された放電ガスから不純物を除去するための再生部と、再生部で不純物が除去された放電ガスをガス供給路に返送するための循環部とを具備して成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6):
H01L21/3065 ,  B01D53/22 ,  B01J19/08 ,  B08B7/00 ,  G02F1/13 ,  H05H1/24
FI (6):
H01L21/302 101E ,  B01D53/22 ,  B01J19/08 E ,  B08B7/00 ,  G02F1/13 101 ,  H05H1/24
F-Term (45):
2H088FA21 ,  2H088FA29 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088MA20 ,  3B116AA01 ,  3B116AA46 ,  3B116AB14 ,  3B116BB62 ,  3B116BB72 ,  3B116BB82 ,  3B116BB89 ,  3B116BC01 ,  3B116CD22 ,  3B116CD41 ,  4D006GA41 ,  4D006HA01 ,  4D006MA01 ,  4D006MC54 ,  4D006PA01 ,  4D006PB19 ,  4D006PB70 ,  4D006PC01 ,  4G075AA24 ,  4G075AA61 ,  4G075CA15 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EA05 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075ED11 ,  4G075EE02 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FB06 ,  4G075FB12 ,  4G075FC15 ,  5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB24 ,  5F004DA22 ,  5F004DB00 ,  5F004EB08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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