半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997090927
Publication number (International publication number)：1998041518
Application date： Apr. 09, 1997
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】良好な特性を有する薄膜トランジスタの製造方法及びこれを用いた薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、ゲート、ソース及びドレインを有する薄膜トランジスタを形成し、その結果物上に、水分を含有する絶縁膜を用いてパッシベーション膜を形成する。次いで、前記パッシベーション膜を熱処理することにより、前記パッシベーション膜に含有された水分を前記薄膜トランジスタに拡散させる。次いで、前記パッシベーション膜をエッチバックすることにより、前記薄膜トランジスタまたは金属ラインにより段差が生じた結果物の表面を平坦化する。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタを含む半導体装置の製造方法であって、(a)基板上に、ゲート、ソース及びドレインを有する薄膜トランジスタを形成する工程と、(b)結果物上に、水分を含有する絶縁膜を用いてパッシベーション膜を形成する工程と、(c)前記パッシベーション膜を熱処理することにより、前記パッシベーション膜に含有された水分を前記薄膜トランジスタに拡散させる工程と、(d)前記パッシベーション膜をエッチバックすることにより、前記薄膜トランジスタまたは配線ラインにより段差が生じた結果物の表面を平坦化する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , G09F 9/35 302 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 29/78 619 A , G02F 1/136 500 , G09F 9/35 302 , H01L 29/78 627 A , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-191628 Applicant：ソニー株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-200862 Applicant：セイコーエプソン株式会社
表示素子用基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-079410 Applicant：ソニー株式会社

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