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J-GLOBAL ID：200903064785087104

発光ダイオードアレイ

Inventor： 行本 富久 ,  国武 栄一 ,  小泉 玄太 ,  松田 孝順 ,  野口 雅弘 ,  豊島 敏也
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999128816
Publication number (International publication number)：2000323750
Application date： May. 10, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 活性層で発生した光を効率良く取り出す構造にすることにより、高出力発光ダイオードアレイを提供する。【解決手段】 基板1上に複数の結晶層を積んだエピタキシャル層が形成され、メサエッチング溝により分割された複数個の発光ダイオード部20を有する発光ダイオードアレイにおいて、発光ダイオード部20の表面に形成される発光部12の両側にその発光ダイオード部20に電圧を印加するカソード用コンタクト電極10とアノード用コンタクト電極15を形成して、上記発光部12の発光面直下に電流経路18が形成されるようにする。

Claim (excerpt)：

基板上に複数の結晶層を積んだエピタキシャル層が形成され、メサエッチング溝により分割された複数個の発光ダイオード部を有する発光ダイオードアレイにおいて、発光ダイオード部の表面に形成される発光部の両側にその発光ダイオード部に電圧を印加するカソード用コンタクト電極とアノード用コンタクト電極を形成すると共に上記発光部の発光面直下に電流経路を形成したことを特徴とする発光ダイオードアレイ。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455

FI (3)：

H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 E ,  B41J 3/21 L

F-Term (10)：

2C162FA17 ,  2C162FA23 ,  2C162FA50 ,  5F041AA03 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA74 ,  5F041CB01 ,  5F041CB25 ,  5F041FF13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開昭63-278285
  
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-034611   Applicant：京セラ株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-038198   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-280692   Applicant：昭和電工株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253950   Applicant：日本電装株式会社
• 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-114828   Applicant：株式会社リコー
• 発光素子構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-180118   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 特開平4-229665
  
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-068797   Applicant：シャープ株式会社