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J-GLOBAL ID：200903064842944825

窒化物系III-V族化合物半導体装置

Inventor：
寺口 信明

About 寺口 信明

, 
鈴木 彰

About 鈴木 彰


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 西教 圭一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001203850
Publication number (International publication number)：2003017419
Application date： Jul. 04, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】 結晶性および電気的特性に優れた窒化物系III-V族化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 ヘテロ接合電界効果型トランジスタ1は、表面がC面であるSiC基板2の上にAlNバッファ層3、第1のGaN層4、AlGaNバリア層5、および第2のGaN層6をこの順番に積層して、GaN層6の上にソース電極7、ドレイン電極8およびゲート電極9形成する。このように、表面がC面であるSiC基板にAlN、GaNおよびAlGaNなどの窒化物系III-V族化合物半導体材料を結晶成長させることによって、結晶性および周波数特性にすぐれたヘテロ接合電界効果型トランジスタの作製が可能である。
Claim (excerpt)：
表面がC面であるSiC基板上に窒化物系III-V族化合物半導体材料を結晶成長させたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置。
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (3)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 29/80 H
F-Term (32)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077TK06 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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