Pat
J-GLOBAL ID：200903064956325050

半導体装置の製造方法

Inventor：
高森 毅

About 高森 毅


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998174974
Publication number (International publication number)：2000012974
Application date： Jun. 22, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 再現性および信頼性に優れていること。【解決手段】 被酸化層20xの一部若しくは全部を酸化して得られる酸化領域29を具えた化合物半導体装置を製造するに当たり、被酸化層を、酸化速度の速い組成からなる第1層と、この第1層よりも酸化速度の遅い組成からなる第2層との超格子層20として形成する積層工程と、被酸化層に対して酸化処理を行って被酸化層の一部若しくは全部を酸化領域にする酸化工程とを含む。
Claim (excerpt)：
少なくとも被酸化層の一部若しくは全部を酸化して得られる酸化領域を具えた化合物半導体装置を製造するにあたり、前記被酸化層を、酸化速度の速い組成からなる第1層と、該第1層よりも酸化速度の遅い組成からなる第2層との超格子層として形成する積層工程と、該被酸化層に対して酸化処理を行って、前記被酸化層の一部若しくは全部を前記酸化領域にする酸化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01S 5/30 ,  H01L 21/316
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/316 S
F-Term (13)：
5F058BA06 ,  5F058BB01 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04 ,  5F073AA07 ,  5F073AA65 ,  5F073AA71 ,  5F073AA72 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073DA27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM