面発光デバイスおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995314936
Publication number (International publication number)：1997135051
Application date： Nov. 09, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】【目的】発振波長の異なる垂直共振器型面発光レーザを同一基板上に容易にかつ高い発光波長制御の下で集積化できるようにする。【構成】基板上に、下層多層反射膜1、下層クラッド層2、活性層3、上層クラッド層4、下側上層多層反射膜5a、波長チューニングAlAs層6、上側上層多層反射膜5bを成長させる〔図2(a)〕。上側上層多層反射膜5bおよび波長チューニングAlAs層6をパターニングして1段メサと2段メサを形成し、1段メサの方はメサ全体を覆うように、2段メサの方は上部の1段メサ部分のみを覆うようにSiN膜7を形成する〔図2(b)〕。酸化処理を行って側面が露出している波長チューニング層6を酸化する〔図2(c)〕。電極形成のためのウェハ加工を行い、p側電極8、n側電極9を形成する〔図2(d)〕。

Claim (excerpt)：

下層反射膜、下層クラッド層、活性層、上層クラッド層および上層反射膜がこの順に積層されて構成された面発光レーザを有する面発光デバイスにおいて、上層クラッド層上には化学変化により屈折率が変化する材料からなる波長チューニング層が形成されていることを特徴とする面発光デバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

波長制御型面発光半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-135985 Applicant：古河電気工業株式会社
面発光半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-074077 Applicant：富士通株式会社
半導体光素子および光通信システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-225645 Applicant：株式会社日立製作所

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