積層構造及びその製造方法、キャパシタ構造並びに不揮発性メモリ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996172532
Publication number (International publication number)：1998022463
Application date： Jul. 02, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】ヒロックの発生を可及的に抑制することができる積層構造及びその製造方法、その積層構造を用いたキャパシタ構造、及びそのキャパシタ構造を用いた不揮発性メモリを提供する。【解決手段】下地層2の上にバッファー層3を介して電極層4を設けた構造において、バッファー層3として、金属部分酸化物を用いる。金属部分酸化物として、Ti1-x Ox (x=0.2〜0.6)が好ましい。

Claim (excerpt)：

下地層上に金属部分酸化物で構成されるバッファー層を介して電極層が形成されていることを特徴とする積層構造。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/04 E , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

キャパシタを有する半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-207033 Applicant：富士通株式会社
高誘電率薄膜と半導体装置及びそれぞれの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-175549 Applicant：富士通株式会社
半導体キャパシタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-295433 Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション

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