III族窒化物膜及びIII族窒化物多層膜

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001266810
Publication number (International publication number)：2003063898
Application date： Sep. 04, 2001
Publication date： Mar. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】(100)面における結晶性及び(001)面における結晶性の双方を同時に向上させたIII族窒化物膜を提供するとともに、このIII族窒化物膜を用い、半導体素子用下地膜として好適に用いることのできるIII族窒化物多層膜を提供する。【解決手段】CVD法によって、Al含有量が50原子%以上であるIII族窒化物下地膜を形成した後、前記下地膜よりも10原子%以上少ないAl含有量のIII族窒化物膜を前記下地膜上に形成する。その結果、前記III族窒化物膜の(100)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅を800秒以下とし、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅を200秒以下とすることができる。

Claim (excerpt)：

(100)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が800秒以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が200秒以下であることを特徴とする、III族窒化物膜。

IPC (4)：

C30B 29/38 , C23C 16/34 , H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (4)：

C30B 29/38 D , C23C 16/34 , H01L 33/00 C , H01L 21/205

F-Term (39)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA06 , 4G077TA07 , 4G077TB05 , 4G077TC06 , 4G077TC08 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA57

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

III族窒化物半導体結晶の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた光源
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-521342 Applicant：昭和電工株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-264381 Applicant：富士通株式会社
III族窒化物系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-315193 Applicant：豊田合成株式会社

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