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J-GLOBAL ID:200903065257735133
張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
安倍 逸郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000060169
Publication number (International publication number):2001250805
Application date: Mar. 06, 2000
Publication date: Sep. 14, 2001
Summary:
【要約】【課題】 多数枚の活性層用ウェーハの裏面に被着した高温ポリシリコンを、短時間のうちに一括して除去する張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 誘電体分離酸化膜14の表面への高温ポリシリコン層16の成長後、エッチング面が荒れにくいアルカリエッチによって、シリコンウェーハ10の裏面に回り込んだ高温ポリシリコン、裏面突起16aを除去する。よって、多数枚のウェーハ10の裏面に成長した高温ポリシリコンを、短時間のうちに一括して除去できる。なお、このアルカリエッチング時に、シリコンウェーハ10を20rpm以下で回転すれば、大きくて溶失しにくい裏面突起16aでも、エッチング面をさほど荒らさずに、比較的短時間で除去できる。
Claim (excerpt):
活性層用ウェーハの表面に誘電体分離酸化膜を介して高温ポリシリコン層を成長させ、活性層用ウェーハの裏面に回り込んだ高温ポリシリコンおよび裏面突起を除去し、この高温ポリシリコン層の表面を研削してから平坦化し、この表面に低温ポリシリコン層を成長させ、この低温ポリシリコン層の表面を張り合わせ面として、活性層用ウェーハを支持基板用ウェーハの表面に張り合わせ、この張り合わせウェーハの外周部を面取りし、この後、活性層用ウェーハを裏面側から研削・研磨して、この研磨面に誘電体分離酸化膜で分離された複数の誘電体分離シリコン島を現出させる張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法において、上記高温ポリシリコンおよび裏面突起の除去を、アルカリエッチング液を用いたアルカリエッチにより行う張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法。
IPC (5):
H01L 21/306
, H01L 21/304 622
, H01L 27/12
, C23C 16/24
, C23F 1/40
FI (5):
H01L 21/304 622 W
, H01L 27/12 B
, C23C 16/24
, C23F 1/40
, H01L 21/306 B
F-Term (21):
4K030AA06
, 4K030BA29
, 4K030BB13
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA08
, 4K030FA10
, 4K057WA10
, 4K057WB06
, 4K057WE22
, 4K057WE25
, 4K057WG02
, 4K057WG10
, 4K057WN01
, 5F043AA02
, 5F043BB03
, 5F043DD16
, 5F043EE22
, 5F043EE40
, 5F043FF07
, 5F043GG05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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半導体基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-129057
Applicant:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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再生ウェーハの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-290019
Applicant:三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
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貼り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-024145
Applicant:三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
-
ウェーハの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-250126
Applicant:三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
-
シリコンウエーハのエッチング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-202583
Applicant:信越半導体株式会社
-
半導体ウェーハのエッチング方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-235618
Applicant:三菱マテリアルシリコン株式会社
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