アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川洋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998157791
Publication number (International publication number)：1999352703
Application date： Jun. 05, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】より過酷な条件のドライエッチング、アッシングが施された基板に対し、腐食防止効果、金属デポジションの除去に優れ、さらには有機SOG層に対してもダメージを与えない、アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。【解決手段】フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩と、水溶性有機溶媒、水およびアセチレンアルコール・アルキレンオキシド付加物を配合させてアッシング後の処理液とする。そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基板にエッチング、アッシング処理をした後、上記処理液を適用して基板を処理する。

Claim (excerpt)：

(a)フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩、(b)水溶性有機溶媒、(c)水、および(d)アセチレンアルコール・アルキレンオキシド付加物を配合してなる、アッシング後の処理液。

IPC (9)：

G03F 7/42 , C11D 1/72 , C11D 3/04 , C11D 3/43 , C11D 7/10 , C11D 7/22 , C11D 7/50 , H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (9)：

G03F 7/42 , C11D 1/72 , C11D 3/04 , C11D 3/43 , C11D 7/10 , C11D 7/22 , C11D 7/50 , H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

レジスト用剥離液組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-211525 Applicant：東京応化工業株式会社
レジスト用剥離液組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-032817 Applicant：東京応化工業株式会社
レジスト用剥離液組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-179872 Applicant：東京応化工業株式会社

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Cited by examiner (6)

半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-211217 Applicant：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社
レジスト用剥離液組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-179872 Applicant：東京応化工業株式会社
レジスト用剥離液組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-032817 Applicant：東京応化工業株式会社

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