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J-GLOBAL ID：200903065422731911

酸化チタン薄膜の製造方法

Inventor： 出野 裕 ,  小海 文夫 ,  小塩 明 ,  藤田 昌邦
Applicant, Patent owner： 富士電機リテイルシステムズ株式会社 ,  国立大学法人三重大学
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005204944
Publication number (International publication number)：2006063440
Application date： Jul. 13, 2005
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【課題】製造作業の煩雑化を招来することなく、多孔質で表面が粒状の酸化チタン薄膜を製造することのできる方法を提供することを目的とする。【解決手段】超音波処理もしくは高周波処理を施すことによって表面に欠陥部位及び/または細孔及び/または酸化部位を設けた調整稠密多層カーボンナノチューブをガラス基板に分散配置した後、このカーボンナノチューブに対して酸素ガス雰囲気中でレーザーアブレーション法により酸化チタンを蒸着させるようにしている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

表面改質処理を施したカーボンナノチューブを基板に分散配置した後、この基板に酸化チタンの蒸着処理を施すことを特徴とする酸化チタン薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C23C 14/08 ,  C01B 31/02 ,  C23C 14/28 ,  H01L 31/04

FI (4)：

C23C14/08 E ,  C01B31/02 101F ,  C23C14/28 ,  H01L31/04 Z

F-Term (23)：

4G146AA11 ,  4G146AA16 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AD11 ,  4G146AD23 ,  4G146AD35 ,  4G146BA02 ,  4G146BA04 ,  4G146BC09 ,  4G146CB19 ,  4G146CB22 ,  4G146CB23 ,  4G146CB29 ,  4G146CB34 ,  4K029AA09 ,  4K029BA48 ,  4K029CA02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB08 ,  4K029DB20 ,  4K029FA01 ,  5F051AA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 酸化チタン薄膜の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-367741   Applicant：エヌオーケー株式会社
• 酸化チタン薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-276119   Applicant：帝国化学産業株式会社

Cited by examiner (4)

• 光電変換素子用基材およびその製造方法ならびに光電変換素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-109902   Applicant：株式会社フジクラ
• 可視光下で光触媒性を示す酸化チタン膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-323194   Applicant：日本原子力研究所
• 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-322400   Applicant：日本電気株式会社
• カーボンナノチューブの合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-175498   Applicant：李鉄真, 株式会社日進ナノテック