半導体発光素子及びZnO膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中野雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998205391
Publication number (International publication number)：2000036618
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板の上にc軸配向性の良好なZnOバッファ層を形成し、その上に良好なGaNを含む半導体層を成長させる。【解決手段】 Si基板2の上に形成するZnOバッファ層3の膜厚を3500Å以上とする。これによってc軸配向したZnOバッファ層3のロッキングカーブ半値幅は4.5 ゚以下となり、c軸配向性の良好なZnOバッファ層3を得ることができる。よって、この上に形成されるGaN層4の結晶性を良好にできる。

Claim (excerpt)：

InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体を用いた半導体発光素子において、基板上に膜厚が3500Å以上のZnOバッファ層をc軸配向させることによってロッキングカーブ特性の良好なZnOバッファ層を形成し、このZnOバッファ層の上にGaNを含む半導体層を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/30

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

F-Term (8)：

5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F073CA02 , 5F073CA17 , 5F073CB07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

酸化亜鉛膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-065743 Applicant：富士電機株式会社
3-5族化合物半導体と発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-070621 Applicant：住友化学工業株式会社
ZnO薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-281414 Applicant：株式会社村田製作所

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