両極性有機電界効果薄層トランジスター及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006064602
Publication number (International publication number)：2006303453
Application date： Mar. 09, 2006
Publication date： Nov. 02, 2006
Summary：

【解決手段】金属/絶縁体/半導体構造(MIS)を有する薄膜電界効果トランジスターにおいて、半導体層を形成する物質が有機化合物であり、絶縁体層を形成する物質が有機溶剤に溶解可能で、かつ強誘電体類似の自発分極を示す有機化合物であり、この絶縁体層を形成する有機化合物の抗電界以上で耐電圧以下の電圧をソース及びゲート電極間に印加するポーリングを行った場合に、n型のトランジスターの特性を示し、ポーリングを行わない場合には、p型のトランジスター特性を示すことを特徴とする両極性有機電界効果薄層トランジスター。【効果】本発明によれば、半導体層及び絶縁体層を形成する物質を有機化合物とした有機電界効果トランジスターでは通常得られないn型の特性が得られるため、p型及びn型の両方のトランジスター特性を示す両極性有機電界効果薄層トランジスターを得ることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属/絶縁体/半導体構造(MIS)を有する薄膜電界効果トランジスターにおいて、半導体層を形成する物質が有機化合物であり、絶縁体層を形成する物質が有機溶剤に溶解可能で、かつ強誘電体類似の自発分極を示す有機化合物であり、この絶縁体層を形成する有機化合物の抗電界以上で耐電圧以下の電圧をソース及びゲート電極間に印加するポーリングを行った場合に、n型のトランジスターの特性を示し、ポーリングを行わない場合には、p型のトランジスター特性を示すことを特徴とする両極性有機電界効果薄層トランジスター。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (5)：

H01L29/78 622 , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/28 100A , H01L29/28 280

F-Term (29)：

5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

有機両極性半導体を使用する不揮発性強誘電体薄膜デバイス及びそのようなデバイスを処理するための方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-544618 Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
機能素子および多成分多相系高分子成形体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-087094 Applicant：株式会社東芝
電界効果型有機トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-196336 Applicant：キヤノン株式会社

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