電界効果型有機トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003196336
Publication number (International publication number)：2005032978
Application date： Jul. 14, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】移動度が大きく、オンオフ比の高い電界効果型有機トランジスタ素子を提供する。【解決手段】絶縁性基板11上にゲート電極12を配置し、その上にゲート絶縁層13を配置し、更にその上にソース電極15およびドレイン電極14を配置し、その上に有機半導体層16,17、そして最上部に保護膜18を配置して構成され、有機半導体層16,17の移動度が異なり、特に電荷移動のチャネル領域19となる有機半導体層16が、チャネル領域とならない有機半導体層17よりも移動度が高い電界効果型有機トランジスタ素子。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の3つの電極と、ゲート絶縁層及び有機半導体層とを有する電界効果型有機トランジスタであって、前記有機半導体層が移動度の異なる少なくとも2つ以上の領域を有することを特徴とする電界効果型有機トランジスタ。

IPC (2)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/28

F-Term (39)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

有機薄膜トランジスタ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-345004 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
特開平3-255669
特開昭63-014471

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Organic Thin-Film Transistors for Organic Light-Emitting Flat-Panel Display Backplanes

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