半導体加速度センサおよびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西川惠清 , 森厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003181192
Publication number (International publication number)：2005017080
Application date： Jun. 25, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】温度特性の優れた半導体加速度センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】センサ本体1は、矩形枠状のフレーム部11の内側に重り部12が配置されている。重り部12は、4つの撓み部13を介してフレーム部11に支持されている。また、センサ本体1では、抵抗体たるピエゾ抵抗R1x〜R4x,R1y〜R4y,R1z〜R4zが4つの撓み部13に適宜配置されている。撓み部13の幅寸法が主重り部12aから離れてフレーム部11に近づくにつれて徐々に大きくなっている。また、各撓み部13におけるフレーム部11側の端部13aを、主重り部12aから離れてフレーム部11に近づくほど厚み寸法が徐々に大きくなるような形状に形成するとともに、各撓み部13における主重り部12a側の端部13bを、フレーム部11から離れて主重り部12aに近づくほど厚み寸法が徐々に大きくなるような形状に形成してある。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

枠状のフレーム部の内側に配置した重り部が重り部を挟んで配置された少なくとも1組の撓み部を介してフレーム部に支持され、フレーム部に対する重り部の変位により撓み部に生じるひずみによって抵抗率の変化する抵抗体が撓み部に形成されたセンサ本体を備えた半導体加速度センサであって、各撓み部それぞれにおけるフレーム部側の端部が、重り部から離れてフレーム部に近づくほど幅寸法と厚み寸法との少なくとも一方が大きくなるような形状に形成されてなることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P15/12 , H01L29/84

FI (3)：

G01P15/12 D , H01L29/84 A , G01P15/00 K

F-Term (17)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA29 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA10 , 4M112DA11 , 4M112DA15 , 4M112DA18 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA13 , 4M112EA18 , 4M112FA05 , 4M112FA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体式加速度センサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-044087 Applicant：株式会社デンソー
特開昭64-018063
特開昭61-154180

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