Pat
J-GLOBAL ID:200903065531192346

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大西 健治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998160686
Publication number (International publication number):1999354580
Application date: Jun. 09, 1998
Publication date: Dec. 24, 1999
Summary:
【要約】【目的】 コストの増大を招くことなく、薄型化や小型化や軽量化等の要求を満足する半導体装置を実現する。【解決手段】 半導体チップ1の表面の回路形成領域1aに、電極パッド領域1bに形成された電極パッド3と電気的に接続された電極パッド4を設け、半導体チップ1の表面を樹脂封止する樹脂2の表面には、電極パッド4と電気的に接続されるバンプ電極7を設ける。
Claim (excerpt):
電子回路が形成された回路形成領域と、該回路形成領域の周辺であって、該回路形成領域に形成された電子回路と電気的に接続される第1の電極パッドが複数形成された電極パッド領域とを持つ表面を有する半導体チップから構成される半導体装置において、前記半導体チップの表面の前記回路形成領域内に形成され、各々が前記複数の第1の電極パッドのうちの対応する第1の電極パッドと電気的に接続される複数の第2の電極パッドと、前記半導体チップの表面を封止する封止樹脂と、各々が前記封止樹脂から突出し、前記複数の第2の電極パッドのうちの対応する第2の電極パッドと電気的に接続された、導電材料からなる複数のバンプと、を有することを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page