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J-GLOBAL ID：200903065533085814

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor：
宮川 拓也

About 宮川 拓也


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (2)： 岡▲崎▼ 信太郎 ,  新井 全
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003201133
Publication number (International publication number)：2005044565
Application date： Jul. 24, 2003
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：
【課題】被処理体が印加電極に対面しているかいないかに関わらずプラズマ放電を持続できるとともに、被処理体上に形成されている導電性パターンの有無に関わらずプラズマ放電により被処理体の表面を均一に処理することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】被処理面21に処理を行うためのプラズマ処理装置は、高周波交流電源15が接続された印加電極11と、被処理体20に対面するように印加電極11側に配置された第1誘電体31と、第1誘電体31とにより処理ガスが供給される空間を囲んで形成している第2誘電体32と、空間内にプラズマ放電領域25を形成するために空間に露出して配置されたアース側電極13を有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
高周波交流電源によりプラズマ放電領域を発生させて、前記プラズマ放電領域では処理ガスの励起活性種が生成されることで被処理体の被処理面に処理を行うためのプラズマ処理装置において、 前記高周波交流電源が接続された印加電極と、 前記被処理体に対面するように前記印加電極側に配置された第1誘電体と、 前記第1誘電体とにより前記処理ガスが供給される空間を囲んで形成している第2誘電体と、 前記空間内に前記プラズマ放電領域を形成するために前記空間に露出して配置されたアース側電極と、 を特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H05H1/24 ,  B01J19/08 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46
FI (4)：
H05H1/24 ,  B01J19/08 E ,  H05H1/46 M ,  H01L21/302 101E
F-Term (20)：
4G075AA30 ,  4G075BC10 ,  4G075CA03 ,  4G075CA15 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075EC21 ,  4G075FA01 ,  4G075FA05 ,  4G075FC15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB24 ,  5F004BD01 ,  5F004CA05 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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