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J-GLOBAL ID：200903066032588626

半導体の製造装置

Clips

Inventor： 筑根 敦弘
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994211532
Publication number (International publication number)：1996078338
Application date： Sep. 05, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体の製造装置に係り、CVD装置の成膜工程で、基板の上下面に均一な膜を成膜して半導体の製造装置で製造される半導体装置の歩留り、及び信頼性を上げる。【構成】 CVD装置20の反応室の内部で基板の両面にヒーター13a、13bを配設し、基板11面内、基板両面11a、11b共に温度を均一にする。また、基板の下面11bにも反応ガス17が供給されるように基板11を浮かせた状態で固定する。更に固定した基板11を3rpm以上の速度で回転させて基板11の温度、及び反応ガス17の供給量を均一にすることによって均一な膜厚の膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

反応気体を導入する導入口、及び排気する排気口を有する反応室と、該反応室内で被処理基板を支持する支持部と、電源より電力の供給を受けて該被処理基板を加熱するヒーターとよりなり、該ヒーターが、該反応室内に設けられ、かつ該被処理基板を挟んで、対向する位置に配置されることを特徴とする半導体の製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  C23C 16/54