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J-GLOBAL ID：200903066131843395

パターン基板およびパターンなし基板上に金属および金属合金被膜を形成するための化学流体被着

Inventor： ワトキンス、ジェイムズ ジェイ. ,  ブラックバーン、ジェイムズ エム. ,  ロング、デイビッド ピー. ,  ラゾシック、ジェイソン エル.
Applicant, Patent owner： ユニバーシティー オブ マサチューセッツ
Agent (1)： 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001535628
Publication number (International publication number)：2003514115
Application date： Nov. 02, 2000
Publication date： Apr. 15, 2003
Summary：

【要約】i)超臨界または近超臨界溶液を形成するべく超臨界または近超臨界溶媒内に物質の前駆物を溶解させることと、(ii)前駆物が溶液中で安定する条件下で溶液に対し基板を露出することと、(iii)前駆物が関与する化学反応を開始する条件下で溶液中に反応試薬を混合し、かくして、超臨界または近超臨界条件を維持しながら固体基板上に物質を被着させることによって、例えばパターン形成されたシリコンウェーハといった基板の表面上に物質(例えば金属、金属混合物または合金、金属酸化物または半導体)の被膜または離散的クラスターの不連続層を被着させるための方法が記述されている。本発明は同様に、物質粒子を多孔質固体の形に被着させるための類似の方法、および基板上の物質被膜または中に被着された物質粒子を有する多孔質固体をも内含している。本発明は同様に、触媒層とそれに続くメッキ層を被着させることにより、メッキされた基板を調製する方法も網羅している。

Claim (excerpt)：

パターン基板の表面上に物質の被膜を被着させるための方法であって、 i)超臨界または近超臨界溶液を形成するべく溶媒中に前記物質の前駆物を溶解させる工程と、 ii)前駆物が溶液中で安定する条件下で溶液に対しパターン基板を露出する工程と、 iii)前駆物が関与する化学反応を開始する条件下で溶液中に反応試薬を混合する工程とからなり、超臨界または近超臨界条件を維持しながら、基板および反応試薬が溶液と接触しているとき、パターン基板の表面上に前記物質を被着させる方法。

IPC (7)：

C23C 18/16 ,  C25D 5/34 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/368

FI (7)：

C23C 18/16 Z ,  C25D 5/34 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/208 D ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/316 U ,  H01L 21/368 Z

F-Term (53)：

4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA05 ,  4K022AA13 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA31 ,  4K022BA32 ,  4K022BA35 ,  4K022BA36 ,  4K022CA19 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K022DA09 ,  4K024AA03 ,  4K024AA12 ,  4K024AA14 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB17 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA04 ,  4K024DA08 ,  4K024DA10 ,  4K024GA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB36 ,  4M104DD46 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF13 ,  5F053AA03 ,  5F053AA22 ,  5F053AA48 ,  5F053BB06 ,  5F053DD01 ,  5F053DD03 ,  5F053DD11 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH04 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF41

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 無電解メッキによる集積回路の配線方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-111622   Applicant：株式会社明電舎
• めっき法による配線金属膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-264586   Applicant：松下電器産業株式会社
• 金属膜被着体、接着剤層および接着剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-219561   Applicant：イビデン株式会社
• 回路基板の配線形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-131163   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-228574
  
• 半導体記憶装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-166990   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-241682   Applicant：株式会社デンソー