ディプレッション型半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999170749
Publication number (International publication number)：2000357795
Application date： Jun. 17, 1999
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】 U字型溝の側壁に沿って形成されるチャネル領域の溝深さ方向の濃度を均一にする。【解決手段】 U字型溝31を有するデプレッション型の縦型MOSFETの製造方法において、溝31の内周面をPSG膜37で被覆し、PSG膜37からのリンを熱拡散してベース領域22に溝31の側壁に沿ってN- 型チャネル領域24を形成する

Claim (excerpt)：

チャネル領域が半導体基板表面に形成した溝の側壁に沿って深さ方向にソース領域と同じ導電型に形成された縦型MOSFETからなるディプレッション型半導体装置の製造方法において、前記チャネル領域の形成工程が、前記溝の内周面を含む半導体基板表面へのソース領域と同じ導電型の不純物を含む膜の成長工程と、この膜からの不純物の熱拡散工程とを含むことを特徴とするディプレッション型半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 653 C , H01L 29/78 658 F , H01L 29/78 658 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ディプレッション型半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-181462 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-029561 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-067679

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