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J-GLOBAL ID：200903066433746046

ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor： 星野 渉 ,  吉留 正洋
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (2)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008074733
Publication number (International publication number)：2009098602
Application date： Mar. 21, 2008
Publication date： May. 07, 2009
Summary：

【課題】本発明の目的は、遠紫外線光、特に波長が193nmのArFエキシマレーザを用いるミクロフォトファブリケーションの性能向上技術の課題を解決することであり、より具体的には、微細なパターン形成においてもパターン倒れがなく、良好な解像性を示すネガ型レジスト組成物を提供することにある。【解決手段】(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)共役ジエン構造を有する化合物及び(C)光カチオン重合開始剤、を含有することを特徴とする、ネガ型レジスト組成物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)共役ジエン構造を有する化合物及び(C)光カチオン重合開始剤を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/027 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F7/027 ,  G03F7/004 503Z ,  G03F7/038 501 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (20)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BC43 ,  2H025BC44 ,  2H025BC49 ,  2H025BE07 ,  2H025CA48 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-141740   Applicant：東京応化工業株式会社
• ネガティブフォトレジスト材料、及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-328491   Applicant：日本電気株式会社
• ネガ型レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-168630   Applicant：富士通株式会社
• ネガ型レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-093727   Applicant：富士通株式会社