Pat
J-GLOBAL ID：200903066460439562

エピタキシャル層を有するAlGaInNベースLED

Inventor：
マイケル・ラガン・クレイムス

About マイケル・ラガン・クレイムス

, 
ポール・スコット・マーティン

About ポール・スコット・マーティン

, 
トゥン・シーン・タン

About トゥン・シーン・タン


Applicant, Patent owner：
アジレント・テクノロジーズ・インク

About アジレント・テクノロジーズ・インク


Agent (1)： 奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000168690
Publication number (International publication number)：2001007393
Application date： Jun. 06, 2000
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 光抽出率を改善するために厚いエピタキシャル層を有するAlGaInNベースLEDを提供する。【解決手段】 基板と基板に結合した活性領域を有する多層エピタキシャル構造とを含むAlGaInN発光ダイオード素子であって、多層エピタキシャル構造が、活性領域の上に位置するエピタキシャル層から成る第1の領域と、活性領域の下に位置するエピタキシャル層から成る第二の領域と、を含み、第1及び第2の領域のエピタキシャル層が、アルミニウムなどからなる群より選択した少なくとも1元素で作られた複数のエピタキシャル層を含み、多層エピタキシャル構造が少なくとも4μmの厚みを持ち、多層エピタキシャル構造の厚みによって、活性領域から放出された光のうち、多層エピタキシャル構造の側面を通じて抽出される光の量が増大することを特徴とするAlGaInN発光ダイオード素子。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板に結合した活性領域を有する多層エピタキシャル構造と、を含むAlGaInN発光ダイオード素子であって、前記多層エピタキシャル構造が、前記活性領域の上に位置するエピタキシャル層から成る第1の領域と、前記活性領域の下に位置するエピタキシャル層から成る第2の領域と、を含み、前記第1及び第2の領域のエピタキシャル層が、アルミニウム、ガリウム、インジウム及び窒素からなる群より選択した少なくとも1元素で作られた複数のエピタキシャル層を含み、前記多層エピタキシャル構造が少なくとも4μmの厚みを持ち、前記多層エピタキシャル構造の前記厚みによって、前記活性領域から放出された光のうち、前記多層エピタキシャル構造の側面を通じて抽出される光の量が増大することを特徴とするAlGaInN発光ダイオード素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM