空格子点に位置および濃度制御してドーパントを導入した化合物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮本晴視
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999123829
Publication number (International publication number)：2000319017
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Nov. 21, 2000
Summary：

【要約】【目的】化学量論比組成のAxByで表される結晶(式中Aは陽イオン、Bは陰イオンである。)の空格子点に、位置的および/または濃度的に制御して原子または前記原子のイオンを添加した化合物を提供すること。【構成】一般式AxByで表される結晶(式中Aは陽イオン、Bは陰イオンであり、xとyは電気的に中性な化学量論量比を満たす。)の空格子点に原子Czを導入した化合物(Cは化合物AxBy結晶中の空格子位置に導入さる任意の価数のイオン形成しうる原子であり、zは零から、AxByの空格子点濃度に対応する値までをとる。)。

Claim (excerpt)：

一般式AxByで表される結晶(式中Aは陽イオン、Bは陰イオンであり、xとyは電気的に中性な化学量論量比を満たす。)の空格子点に原子Czを導入した化合物(Cは化合物AxBy結晶中の空格子位置に導入さる任意の価数のイオンを形成しうる原子であり、zは零から、AxByの空格子点濃度に対応する値までをとる。)。

IPC (3)：

C01G 15/00 , C01G 9/02 , H01L 31/04

FI (3)：

C01G 15/00 B , C01G 9/02 Z , H01L 31/04 M

F-Term (10)：

4G047AA02 , 4G047AA04 , 4G047AB05 , 4G047AC03 , 4G047AD02 , 5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051FA02 , 5F051FA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

フィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物、および該化合物を含有する熱電変換材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-272358 Applicant：株式会社リコー
結晶質固溶体粉末の製造方法、インジウム-錫-酸化物の結晶質固溶体粉末、ITOスパッタリングターゲット及びITO被膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-141285 Applicant：ヴエーツエーヘレーウスゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
ホイスラー型窒化物とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-271876 Applicant：株式会社エステック

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Enhanced conductivity of zinc oxide thin films by ion implantation of hydrogen atoms
In2O3:Lix(x=0-1.0)の合成とキャラクタリゼーション

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