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J-GLOBAL ID：200903066807339806

半導体レーザ

Inventor： 浅香 浩 ,  河田 敏也
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001083421
Publication number (International publication number)：2002280670
Application date： Mar. 22, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】AlInP又はAlGaInPなどAlを含み且つ組成によって格子定数が変化する半導体を電流ブロック層に用いたレーザにおいて、信頼性の高いレーザを歩留まりよく提供する。【解決手段】第1導電型クラッド層103と、活性層105と、リッジ形状を有する第2導電型クラッド層107と、前記第2導電型クラッド層107より屈折率の小さい第1導電型の半導体からなる電流ブロック層109とを有する半導体レーザであって、前記電流ブロック層109が2種類の半導体からなる半導体レーザとする。

Claim (excerpt)：

第1導電型クラッド層と、活性層と、リッジ形状を有する第2導電型クラッド層と、前記第2導電型クラッド層より屈折率の小さい第1導電型の半導体からなる電流ブロック層とを有する半導体レーザであって、前記電流ブロック層が2種類の半導体からなることを特徴とする半導体レーザ。

F-Term (7)：

5F073AA13 ,  5F073BA06 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-301904   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レ-ザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-023837   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253325   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザ,及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-042755   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-146260   Applicant：富士ゼロックス株式会社