コンデンサおよびメモリ構造体とその製造法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998081971
Publication number (International publication number)：1998275901
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】寸法が小さく電極表面積の大きな集積回路コンデンサとその製造法を提供する。【解決手段】コンデンサのための凹凸のあるポリシリコン電極により、大きな結晶核生成密度による薄い層と気相不純物添加とで大きな表面積増強が得られる。気相不純物添加はまた、結晶粒形状と酸素のない誘電体生成とを増強する。

Claim (excerpt)：

(a) 約40nmよりも小さな厚さを有する凹凸のあるポリシリコン表面を備えた第1電極と、(b) 前記表面の上に配置された誘電体と、(c) 前記誘電体の上に配置された第2電極と、を有する、コンデンサ。

IPC (2)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-154896 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-075128 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-284485 Applicant：日本電気株式会社

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