半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：家入健
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004358010
Publication number (International publication number)：2006165441
Application date： Dec. 10, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】従来の、パワーMOSFETの構造ではスーパージャンクション構造を用いても素子の耐圧の向上が困難であった。【解決手段】本発明のパワーMOSFETはスーパージャンクション構造を有する半導体装置であって、半導体基板上に形成されたトレンチ内部に埋め込まれたゲート電極と、表層に形成されたゲート電極金属膜と、前記ゲート電極と前記ゲート電極金属膜を接続するゲート電極プラグとを有する。これにより従来の一般的なパワーMOSFETに必要だったポリシリコン堆積層を形成する必要がない。つまり、素子活性部と外周部のコラム領域を同一の条件で形成できる。この結果、素子の耐圧を従来に比べて高めることが可能である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

スーパージャンクション構造を有する半導体装置であって、半導体基板上に形成されたトレンチ内部に埋め込まれたゲート電極と、表層に形成されたゲート電極金属膜と、前記ゲート電極と前記ゲート電極金属膜を接続するゲート電極プラグとを有する半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 27/04

FI (5)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 652K , H01L29/78 652N , H01L29/78 653A , H01L29/78 657C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-383440 Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

Cited by examiner (6)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-298068 Applicant：富士電機ホールディングス株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-383440 Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
縦型MOSFETを備えた半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-174740 Applicant：日本電気株式会社

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