超接合半導体素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004096388
Publication number (International publication number)：2005286023
Application date： Mar. 29, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：

【課題】素子面積の縮小化を図りつつ、高耐圧、低抵抗の超接合半導体素子を提供する。【解決手段】半導体基板3と、半導体基板3の主面12および裏面13のそれぞれに設けられた一対の電極1,2と、半導体基板3の主面12および裏面13の間に設けられ、オン状態では電流を流すとともにオフ状態では空乏化するn型半導体層4およびp型半導体層5を交互に配置した並列pn層と、前記並列pn層を取り囲むように形成される絶縁膜6とを備え、絶縁膜6は所定の位置に形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、当該半導体基板の主面および裏面のそれぞれに設けられた一対の電極と、前記半導体基板の主面および裏面の間に設けられ、オン状態では電流を流すとともにオフ状態では空乏化する第一導電型ドリフト領域および第二導電型仕切り領域を交互に配置した並列pn層と、前記並列pn層を取り囲むように前記半導体基板上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜の少なくとも一部を覆うように形成されるフィールドプレートと、を含み、前記絶縁膜の前記並列pn層側の端部は、前記第二導電型仕切り領域の最外郭の仕切り領域内、または前記最外郭の仕切り領域が完全に空乏化したしたときに当該最外郭の仕切り領域近傍の第一導電型ドリフト領域の空乏化領域内のいずれかに配置されることを特徴とする超接合半導体素子。

IPC (1)：

H01L29/78

FI (4)：

H01L29/78 652P , H01L29/78 652H , H01L29/78 652S , H01L29/78 653C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

超接合半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-189590 Applicant：富士電機株式会社
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-074633 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (4)

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-084537 Applicant：サンケン電気株式会社
絶縁ゲート制御半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-209793 Applicant：富士電機株式会社
高電圧半導体デバイス用集積エッジ構造の製造方法及び該集積エッジ構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-348355 Applicant：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.

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