半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998012758
Publication number (International publication number)：1999214445
Application date： Jan. 26, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】小型化、高密度化を実現し、高耐久性、高信頼性を有するチップサイズパッケージ形態の半導体装置を提供する。【解決手段】ガラスエポキシ系材料からなる実装基板にはんだ付けにより接続されるパッケージ化された半導体装置であって、パッド部分にバンプ4が形成された半導体チップ1と、バンプ4を機械的に支持し、バンプ4と電気的に接続する導電体が形成された貫通孔7を有するインターポーザー2と、半導体チップ1とインターポーザー2の間に埋め込まれた封止樹脂3とを有する構成とし、インターポーザー2について、封止樹脂3の硬化温度よりも高いガラス転移温度を有する有機材料により形成されている、線膨張係数が実装基板と半導体チップ1の線膨張係数のほぼ中間の値を有する、および/または、400MPa以上の曲げ強度を有する材料により形成されているものとする。

Claim (excerpt)：

ガラスエポキシ系材料からなる実装基板にはんだ付けにより接続されるパッケージ化された半導体装置であって、パッド部分にバンプが形成された半導体チップと、前記バンプを機械的に支持し、前記バンプと電気的に接続する導電体が形成された貫通孔を有するインターポーザーと、前記半導体チップと前記インターポーザーの間に埋め込まれた封止樹脂とを有し、前記インターポーザーが前記封止樹脂の硬化温度よりも高いガラス転移温度を有する有機材料により形成されている半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/12 , H01L 23/28

FI (3)：

H01L 21/60 311 S , H01L 23/28 Z , H01L 23/12 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-176319 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-181832 Applicant：株式会社ピーエフユー
セラミックス回路基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-335315 Applicant：株式会社東芝

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