半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002223483
Publication number (International publication number)：2003168700
Application date： Jul. 31, 2002
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器において、バンプ高さの均一性を向上させることを目的とする。【解決手段】半導体ウエハ1は、半導体ウエハ1の側面13を少なくとも一部に含む第1の半導体チップ19と、第1の半導体チップ19に囲まれた領域に設けられて集積回路16及びこれに電気的に接続されるパッド20を有する第2の半導体チップ17と、第1の半導体チップ19の上方において少なくとも一部が柱状に形成されてなる第1のバンプ30と、パッド20の上方において少なくとも一部が柱状に形成されてなる第2のバンプ24と、を有する。

Claim (excerpt)：

複数の半導体チップを含む半導体ウエハであって、前記半導体ウエハの側面を少なくとも一部に含む第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップに囲まれた領域に設けられ、少なくとも集積回路と、前記集積回路に電気的に接続されるパッドと、を有する第2の半導体チップと、前記第1の半導体チップの上方において、少なくとも一部が柱状に形成されてなる第1のバンプと、前記パッドの上方において、少なくとも一部が柱状に形成されてなる第2のバンプと、を有する半導体ウエハ。

IPC (2)：

H01L 21/60 , H01L 23/12 501

FI (2)：

H01L 23/12 501 B , H01L 21/92 602 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-319489 Applicant：株式会社デンソー
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-333074 Applicant：株式会社東芝
ウエーハ上の特性不良チップのマーキング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-131183 Applicant：ミツミ電機株式会社

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